ANNUAIRE DES CHERCHEURS

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Bassirou LO

Professeur titulaire


bassirou.lo@ucad.edu.sn



Recherche, Encadrement et Distinctions

  • [ARTICLE - REVUE] Optical and morphological characteristics of LP MOVPE grown lattice matched GAInP/GaAs heterostructure.

    1, Wiley One Library. , Rang 3, 50-55 : , 2003


  • [ARTICLE - REVUE] Optical and morphological characteristics of LP MOVPE grown lattice matched GAInP/GaAs heterostructure.

    1, Stefan Hildebrandt, Anglais, Rang 4, pp. 50-55, 2003


  • [COMMUNICATION] New Curricula in Applied Science Based on Interdisciplinary Collaboration and University-Pre-college-Industry in Developing Country.

    2001


  • [ARTICLE - ACTE] New Curricula in Applied Science Based on Interdisciplinary Collaboration and University-Pre-college-Industry in Developing Country.

    International Conference on Engineering Education, August 6 – 10, 2001 Oslo, Norway, Rang 3, 6D1-6D4. , 2001


  • [ARTICLE - PROCEEDING] New Curricula In Applied Science Based On Interdisciplinary Collaboration and University-Pre-college-Industry in Developing Country

    1, International Network for Engineering Education and Research (INEER), Anglais, Rang 3, pp.6D4. 1-6D4.4, 2001


  • [ARTICLE - ACTE] High-energy implantation of Moderately Deep Acceptor Hg into liquid-encapsulated Czochralski Grown: GaAs: Formation of multiple shallow emission.

    Proceedings of the 1995 American MRS Fall Meeting, Boston , American MRS , Rang 1, 1996


  • [ARTICLE - ACTE] High-energy implantation of a moderately-deep acceptor Hg into liquid-encapsulated Czochraslki grown GaAs: formation of new shallow emission band.

    Mat. Res. Soc Symposium. ProcVol 396, Cambridge University Press. , Rang 2, 2845-2847, 1996


  • [COMMUNICATION] High-energy implantation of a moderately-deep acceptor Hg into liquid-encapsulated Czochraslki grown GaAs: formation of new shallow emission band.

    1995


  • [ARTICLE - REVUE] High-energy implantation of Hg+ ions into GaAs grown by liquid-encapsulated Czochralski method: Formation of multiple shallow emission.

    1, Publishers: AIP Publishing. , Rang 2, 2845-2847 , 1995


  • [ARTICLE - REVUE] High-energy implantation of Hg+ ions into GaAs grown by liquid-encapsulated Czochralski method: Formation of multiple shallow emission

    1, Editeur: Reuben T. Collins, Anglais, Rang 2, pp.2845-2847, 1995


  • [ARTICLE - REVUE] High-energy implantation of a moderately-deep acceptor Hg into liquid-encapsulated Czochraslki grown GaAs: formation of new shallow emission band

    1, Cambridge University Press, Anglais, Rang 4, pp.835-840, 1995


[THESE] : Effet du recuit thermique rapide sur les propriétés électriques et optiques d’une couche mince de ZnO
Mamadou MBAYE soutenu(e) le 20-07-2022
[THESE] : Élaboration et étude optique de couches minces de ZnO orientées Plan-a.
Alioune Aïdara DIOUF soutenu(e) le 06-07-2017
[THESE] : Croissance et caractérisation des couches minces d’oxyde de Zinc pour des applications en optoélectronique
MOUHAMED BACHIR GAYE soutenu(e) le 20-01-2017
[THESE] : Croissance et caractérisation de couches minces d’oxyde de zinc (ZnQ) pour des applications optoélectriques.
Mouhamed Bachir GAYE soutenu(e) le 19-01-2017
[MEMOIRE] : Théorie de l’électron libre et puits quantique
Pape Massane WADE soutenu(e) le 17-01-2017
[MEMOIRE] : Phénomène de polarisation : cas du neurone
Ousmane DIOME soutenu(e) le 17-01-2017
[MEMOIRE] : Technique de caractérisation des semi-conducteurs par mesure d’effet Hall : cas de l’oxyde de Zinc (ZnO)
Ibrahima NIANG soutenu(e) le 04-11-2015
[MEMOIRE] : Etude bibliographique sur la Photoluminescence : Application sur le ZnO
Kalidou SOKOMA soutenu(e) le 15-01-2013
[MEMOIRE] : Emissions liées aux défauts peu profonds dans ZnO
Moustapaha BA soutenu(e) le 28-12-2011
[MEMOIRE] : Etude des propriétés structurales et optoélectroniques des nano structures d’oxyde de Zinc dopé au tungstène.
MOUHAMED BACHIR GAYE soutenu(e) le 30-12-2009

Expériences et Diplômes


Du 01-11-2012 Au 08-12-2014: Autres Expériences
Directeur des Etudes Institut interafricain de Formation en Assurance et en Gestion des Entreprises (IFAGE)
Du 13-11-1995 Au 01-11-1999: Autres Expériences
Professeur de Mathématiques et de Sciences physiques Lycée Abdoulaye SADJI à Rufisque/Sénégal
Nomination le 01-10-2023 : Professeur titulaire
Echelon 2, Classe Exceptionnelle
FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES
Nomination le 01-10-2014 : Maître de Confèrences
Echelon 2, Maitres de Conferences
FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES
Nomination le 01-04-2012 : Maître de Confèrences
Echelon 1, Maitres de Conferences
FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES
Nomination le 01-10-2009 : Maitre Assistant
Echelon 4, Deuxiéme Classe
FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES
Nomination le 01-10-2006 : Maitre Assistant
Echelon 3, Deuxiéme Classe
FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES
Nomination le 01-10-2003 : Maitre Assistant
Echelon 2, Deuxiéme Classe
FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES
Nomination le 01-10-2000 : Maitre Assistant
Echelon 1, Deuxiéme Classe
FACULTE DES SCIENCES ET TECHNIQUES
2012 :
Doctorat d'Etat
Doctorat d'Etat ès sciences physiques
Université Cheikh Anta DIOP de Dakar, Sénégal

1993 :
Diplôme d'Etudes Approndies
Diplôme d'Etudes Approfondies en énergie solaire
Université Cheikh Anta DIOP de Dakar, Sénégal

1991 :
Diplôme de Maîtrise
Maîtrise Physique-Chimie
Université Cheikh Anta DIOP de Dakar, Sénégal

1989 :
Diplôme de Licence
licence Physique-Chimie
Université Cheikh Anta DIOP de Dakar, Sénégal

1982 :
Baccalauréat
Baccalauréat scientifique
office du Baccalauréat , Sénégal